FDMS86252
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onsemi FDMS86252
| Artikelnummer: | FDMS86252 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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-
onsemi FDMS86252 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDMS86252.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) Serie PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 51mOhm @ 4.6A, 10V Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 905 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.6A (Ta), 16A (Tc) Grundproduktnummer FDMS86 FDMS86252 Einzelheiten PDF [English] FDMS86252 PDF - EN.pdf -
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